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陶瓷可调电容如何分类

来源:友兴达电子人气:177发布时间:2014-07-03 09:32

  陶瓷可调电容可以分为Y5V可调电容器、X7R可调电容器、NPO可调电容器、Z5U可调电容器。这几种陶瓷可调电容的区别在于它们填充介质的不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。因此,我们在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的陶瓷可调电容。

  分类一、Y5V可调电容器

  Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达 22%到-82%。

  Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。

  Y5V电容器的取值范围如下表所示

  封 装 DC=25V DC=50V

  0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF

  1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF

  1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF

  2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF

  Y5V电容器的其他技术指标如下:

  工作温度范围 -30℃ --- 85℃

  温度特性 22% ---- -82%

  介质损耗 最大 5%

  贴片电容器命名方法可到AVX网站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。

  分类二、X7R可调电容器

  X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到 125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

  X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。

  X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

  封 装 DC=50V DC=100V

  0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF

  1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF

  1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF

  2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF

  分类三、NPO可调电容器

  NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

  NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

  封 装 DC=50V DC=100V

  0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

  1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

  1210 560---5600pF 560---2700pF

  2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

  NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。

  分类四、Z5U可调电容器

  Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。

  尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。

  封 装 DC=25V DC=50V

  0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF

  1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF

  1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF

  2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF

  Z5U电容器的其他技术指标如下:

  工作温度范围10℃ --- 85℃

  温度特性 22% ---- -56%

  介质损耗 最大 4%

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